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1. 光學顯微鏡以可見光為介質，電子顯微鏡為電子束為介質，由於電子束波長遠較可見光小，故電子顯微鏡解析度遠比光學顯微鏡高。光學顯微鏡放大倍率最高只有約1500倍，掃描式顯微鏡可放大到10000倍以上。 2. 根據de Broglie波動理論，電子的波長僅與加速電壓有關： λe＝h / mv＝ h / (2qmV)1/2＝12.2 / (V)1/2 (Å) 在 10 KV 的加速電壓之下，電子的波長僅為0.12Å，遠低於可見光的4000 - 7000Å，所以電子顯微鏡解析度自然比光學顯微鏡優越許多，但是掃描式電子顯微鏡的電子束直徑大多在50 - 100Å之間，電子與原子核的彈性散射 (Elastic Scattering) 與非彈性散射 (Inelastic Scattering) 的反應體積又會比原有的電子束直徑增大，因此一般穿透式電子顯微鏡的解析度比掃描式電子顯微鏡高。 3. 掃描式顯微鏡有一重要特色是具有超大的景深(depth of field)，約為光學顯微鏡的300倍，使得掃描式顯微鏡比光學顯微鏡更適合觀察表面起伏程度較大的試片。 4. 掃描式電子顯微鏡，其系統設計由上而下，由電子槍 (Electron Gun) 發射電子束，經過一組磁透鏡聚焦 (Condenser Lens) 聚焦後，用遮蔽孔徑 (Condenser Aperture) 選擇電子束的尺寸(Beam Size)後，通過一組控制電子束的掃描線圈，再透過物鏡 (Objective Lens) 聚焦，打在試片上，在試片的上側裝有訊號接收器，用以擇取二次電子 (Secondary Electron) 或背向散射電子 (Backscattered Electron) 成像。 5. 電子槍的必要特性是亮度要高、電子能量散佈 (Energy Spread) 要小，目前常用的種類計有三種，鎢(W)燈絲、六硼化鑭(LaB6)燈絲、場發射 (Field Emission)，不同的燈絲在電子源大小、電流量、電流穩定度及電子源壽命等均有差異。 6. 熱游離方式電子槍有鎢(W)燈絲及六硼化鑭(LaB6)燈絲兩種，它是利用高溫使電子具有足夠的能量去克服電子槍材料的功函數(work function)能障而逃離。對發射電流密度有重大影響的變數是溫度和功函數，但因操作電子槍時均希望能以最低的溫度來操作，以減少材料的揮發，所以在操作溫度不提高的狀況下，就需採用低功函數的材料來提高發射電流密度。 7. 價錢最便宜使用最普遍的是鎢燈絲，以熱游離 (Thermionization) 式來發射電子，電子能量散佈為 2 eV，鎢的功函數約為4.5eV，鎢燈絲係一直徑約100μm，彎曲成V形的細線，操作溫度約2700K，電流密度為1.75A/cm2，在使用中燈絲的直徑隨著鎢絲的蒸發變小，使用壽命約為40~80小時。 8. 六硼化鑭(LaB6)燈絲的功函數為2.4eV，較鎢絲為低，因此同樣的電流密度，使用LaB6只要在1500K即可達到，而且亮度更高，因此使用壽命便比鎢絲高出許多，電子能量散佈為 1 eV，比鎢絲要好。但因LaB6在加熱時活性很強，所以必須在較好的真空環境下操作，因此儀器的購置費用較高。 9. 場發射式電子槍則比鎢燈絲和六硼化鑭燈絲的亮度又分別高出 10 - 100 倍，同時電子能量散佈僅為 0.2 - 0.3 eV，所以目前市售的高解析度掃描式電子顯微鏡都採用場發射式電子槍，其解析度可高達 1nm 以下。 10. 場發射電子槍可細分成三種:冷場發射式(cold field emission , FE)，熱場發射式(thermal field emission ,TF)，及蕭基發射式(Schottky emission ,SE) 11. 當在真空中的金屬表面受到108V/cm大小的電子加速電場時，會有可觀數量的電子發射出來，此過程叫做場發射，其原理是高電場使電子的電位障礙產生Schottky效應，亦即使能障寬度變窄，高度變低，因此電子可直接"穿隧"通過此狹窄能障並離開陰極。場發射電子係從很尖銳的陰極尖端所發射出來，因此可得極細而又具高電流密度的電子束，其亮度可達熱游離電子槍的數百倍，或甚至千倍。 12. 場發射電子槍所選用的陰極材料必需是高強度材料，以能承受高電場所加諸在陰極尖端的高機械應力，鎢即因高強度而成為較佳的陰極材料。場發射槍通常以上下一組陽極來產生吸取電子、聚焦、及加速電子等功能。利用陽極的特殊外形所產生的靜電場，能對電子產生聚焦效果，所以不再需要威氏罩或柵極。第一(上)陽極主要是改變場發射的吸取電壓(extraction voltage)，以控制針尖場發射的電流強度，而第二(下)陽極主要是決定加速電壓，以將電子加速至所需要的能量。 13. 要從極細的鎢針尖場發射電子，金屬表面必需完全乾淨，無任何外來材料的原子或分子在其表面，即使只有一個外來原子落在表面亦會降低電子的場發射，所以場發射電子槍必需保持超高真空度，來防止鎢陰極表面累積原子。由於超高真空設備價格極為高昂，所以一般除非需要高解析度SEM，否則較少採用場發射電子槍。 14. 冷場發射式最大的優點為電子束直徑最小，亮度最高，因此影像解析度最優。能量散佈最小，故能改善在低電壓操作的效果。為避免針尖被外來氣體吸附，而降低場發射電流，並使發射電流不穩定，冷場發射式電子槍必需在10-10 torr的真空度下操作，雖然如此，還是需要定時短暫加熱針尖至2500K(此過程叫做flashing)，以去除所吸附的氣體原子。它的另一缺點是發射的總電流最小。 15. 熱場發式電子槍是在1800K溫度下操作，避免了大部份的氣體分子吸附在針尖表面，所以免除了針尖flashing的需要。熱式能維持較佳的發射電流穩定度，並能在較差的真空度下(10-9 torr)操作。雖然亮度與冷式相類似，但其電子能量散佈卻比冷式大3~5倍，影像解析度較差，通常較不常使用。 16. 蕭基發射式的操作溫度為1800K，它係在鎢(100)單晶上鍍ZrO覆蓋層，ZrO將功函數從純鎢的4.5eV降至2.8eV，而外加高電場更使電位障壁變窄變低，使得電子很容易以熱能的方式跳過能障(並非穿隧效應)，逃出針尖表面，所需真空度約10-8~10-9torr。其發射電流穩定度佳，而且發射的總電流也大。而其電子能量散佈很小，僅稍遜於冷場發射式電子槍。其電子源直徑比冷式大，所以影像解析度也比冷場發射式稍差一點。 17. 由於對真空的要求較高，本儀器在電子槍及磁透鏡部份配備了3組離子泵浦(ion pump)，在試片室中，配置了2組擴散泵浦(diffusion pump)，在機體外，以1組機械泵浦負責粗抽，所以有6組大小不同的真空泵浦來達成超高真空的要求，另外在試片另有以液態氮冷卻的冷井(cold trap)，協助保持試片室的真空度。 18. 平時操作，若要將試片室真空亦保持在10-8pa(10-10torr)，則抽真空的時間將變長而降低儀器的便利性，更增加儀器購置成本，因此本儀器設計了階段式真空(step vacuum)，亦即使電子槍、磁透鏡及試片室的真空度依序降低，並分成三個部份來讀取真空計讀數，如此可將試片保持在真空度10-5pa的環境下即可操作。平時待機或更換試片時，為防止電子槍汚染，皆使用真空閥(gun valve)將電子槍及磁透鏡部份與試片室隔離，實際觀察時再打開使電子束通過而打擊到試片。 19. 場發射式電子槍的電子產生率與真空度有密切的關係，其使用壽命也隨真空度變差而急劇縮短，因此在試片製備上必須非常注意水氣，或固定用的碳膠或銀膠是否烤乾，以免在觀察的過程中，真空陡然變差而影響燈絲壽命，甚至系統當機。 20. 在電子顯微鏡中須考慮到的像差(aberration)包括:繞射像差(diffraction aberration)、球面像差(spherical aberration)、散光像差(astigmatism)及波長散佈像差(即色散像差，chromatic aberration)。 21. 球面像差為物鏡中主要缺陷，不易校正，因偏離透鏡光軸之電子束偏折較大，其成像點較沿軸電子束成像之高斯成像平面(Gauss image plane)距透鏡為近。 22. 散光像差由透鏡磁場不對稱而來，使電子束在二互相垂直平面之聚焦落在不同點上。散光像差一般用散光像差補償器(stigmator)產生與散光像差大小相同、方向相反的像差校正，目前電子顯微鏡其聚光鏡及物鏡各有一組散光像差補償器。 23. 光圈繞射像差(Aperture diffraction):由於電子束通過小光圈電子束產生繞射現象，使用大光圈可以改善。 24. 色散像差(Chromatic aberration):因通過透鏡電子束能量差異，使得電子束聚焦後並不在同一點上。 25. 電子束和試片作用體積(interaction volume)，作用體積約有數個微米(μm)深，其深度大過寬度而形狀類似梨子。此形狀乃源於彈性和非彈性碰撞的結果。低原子量的材料，非彈性碰撞較可能，電子較易穿進材料內部，較少向邊側碰撞，而形成梨子的頸部，當穿透的電子喪失能量變成較低能量時，彈性碰撞較可能，結果電子行進方向偏向側邊而形成較大的梨形區域。 26. 在固定電子能量時，作用體積和原子序成反比，乃因彈性碰撞之截面積和原子序成正比，以致電子較易偏離原來途徑而不能深入試片。 27. 電子束能量越大，彈性碰撞截面積越小，電子行走路徑傾向直線而可深入試片，作用體積變大。 28. 電子束和試片的作用有兩類，一為彈性碰撞，幾乎沒有損失能量，另一為非彈性碰撞，入射電子束會將部份能量傳給試片，而產生二次電子、背向散射電子、歐傑電子、X光、長波電磁放射、電子-電洞對等。這些信號可供SEM運用者有二次電子、背向散射電子、X光、陰極發光、吸收電子及電子束引起電流(EBIC)等。 29. 二次電子(Secondary Electrons)：電子束和試片作用，可將傳導能帶(conduction band)的電子擊出，此即為二次電子，其能量約 < 50eV。由於是低能量電子，所以只有在距離試片表面約50~500Å深度範圍內所產生之二次電子，才有機會逃離試片表面而被偵測到。由於二次電子產生的數量，會受到試片表面起伏狀況影響，所以二次電子影像可以觀察出試片表面之形貌特徵。 30. 背向散射電子(Backscattered Electrons)：入射電子與試片子發生彈性碰撞，而逃離試片表面的高能量電子，其動能等於或略小於入射電子的能量。背向散射電子產生的數量，會因試片元素種類不同而有差異，試片中平均原子序越高的區域，釋放出來的背向散射電子越多，背向散射電子影像也就越亮，因此背向散射電子影像有時又稱為原子序對比影像。由於背向散射電子產生於距試片表面約5000Å的深度範圍內，由於入射電子進入試片內部較深，電子束已被散射開來，因此背向散射電子影像解析度不及二次電子影像。 31. X光：入射電子和試片進行非彈性碰撞可產生連續X光和特性X光，前者係入射電子減速所放出的連續光譜，形成背景決定最少分析之量，後者係特定能階間之能量差，可藉以分析成分元素。 32. 電子束引致電流(Electron-beam induced Current , EBIC)：當一個p-n接面(Junction)經電子束照射後，會產生過多的電子--電洞對，這些載子擴散時被p-n接面的電場收集，外加線路時即會產生電流。 33. 陰極發光(Cathodoluminescence)：當電子束產生之電子-電洞對再結合時，會放出各種波長電磁波，此為陰極發光(CL)，不同材料發出不同顏色之光。 34. 試片電流(Specimen Current)：電子束射到試片上時，一部份產生二次電子及背向散射電子，另一部份則留在試片裡，當試片接地時即產生試片電流。 35. 電子偵測器有兩種，一種是閃爍計數器偵測器(Scintillator)，常用於偵測能量較低的二次電子，另一種是固態偵測器(solid state detector)，則用於偵測能量較高的反射電子。 36. 影響電子顯微鏡影像品質的因素: A. 電子槍的種類:使用場發射、LaB6或鎢絲的電子槍。 B. 電磁透鏡的完完美度。 C. 電磁透鏡的型式: In-lens ,semi in-lens, off-lens D. 試片室的潔淨度: 避免粉塵、水氣、油氣等污染。 E. 操作條件: 加速電壓、工作電流、儀器調整、試片處理、真空度。 F. 環境因素:振動、磁場、噪音、接地。 37. 如何做好SEM的影像，一般由試片的種類和所要的結果來決定觀察條件，調整適當的加速電壓、工作距離 (WD)、適當的試片傾斜，選擇適當的偵測器、調整合適的電子束電流。 38. 一般來說，加速電壓提高，電子束波長越短，理論上，只考慮電子束直徑的大小，加速電壓愈大，可得到愈小的聚焦電子束，因而提高解析度，然而提高加速電壓卻有一些不可忽視的缺點： A. 無法看到試片表面的微細結構。 B. 會出現不尋常的邊緣效應。 C. 電荷累積的可能性增高。 D. 試片損傷的可能性增高。 因此適當的加速電壓調整，才可獲得最清晰的影像。 39. 適當的工作距離的選擇，可以得到最好的影像。較短的工作距離，電子訊號接收較佳，可以得到較高的解析度，但是景深縮短。較長的工作距離，解析度較差，但是影像景深較長，表面起伏較大的試片可得到較均勻清晰的影像。 40. SEM試片若為金屬或導電性良好，則表面不需任何處理，可直接觀察。若為非導體，則需鍍上一層金屬膜或碳膜協助試片導電，膜層應均勻無明顯特徵，以避免干擾試片表面。金屬膜較碳膜容易鍍，適用於SEM影像觀察，通常為Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜較適於X光微區分析，主要是因為碳的原子序低，可以減少X光吸收。 41. SEM試片製備一般原則為: A. 顯露出所欲分析的位置。 B. 表面導電性良好，需能排除電荷。 C. 不得有鬆動的粉末或碎屑(以避免洩真空時粉末飛揚污染鏡柱體)。 D. 需耐熱，不得有熔融蒸發的現象。 E. 不能含液狀或膠狀物質，以免揮發。 F. 非導體表面需鍍金(影像觀察)或鍍碳(成份分析)。 42. 鍍導電膜的選擇，在放大倍率低於1000倍時，可以鍍一層較厚的Au，以提高導電度。放大倍率低於10000倍時，可以鍍一層Au來增加導電度。放大倍率低於100000倍時，可以鍍一層Pt或Au-Pd合金，在超過100000時，以鍍一層超薄的Pt或Cr膜較佳。 43. 電子束與試片作用，當內層電子被擊出後，外層電子掉入原子內層電子軌道而放出X光，不同原子序，不同能階電子所產生的X光各不相同，稱為特徵X光，分析特徵X光，可分析試片元素成份。 44. 分析特徵X光的方式，可分析特徵X光的能量分佈，稱為EDS，或分析特徵X光的波長，稱為WDS。X光能譜的解析度，在EDS中約有100~200eV的解析度，在WDS中則有5~10eV的解析度。由於EDS的解析度較WDS差，因此在能譜的解析上，較易產生重疊的情形。 45. 由於電子束與試片作用的作用體積(interaction volume)的關係，特徵X光的產生和作用體積的大小有關，因此在平面的試片中，EDS或WDS的空間解析度，受限於作用體積的大小。 |
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